锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IDT6116LA35TPG、IDT6116LA35TPGI、CY7C128A-35PC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA35TPG IDT6116LA35TPGI CY7C128A-35PC

描述 IC SRAM 16Kbit 35NS 24DIPIC SRAM 16Kbit 35NS 24DIP2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 24

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - - 35.0 GHz

存取时间 - - 35.0 ns

内存容量 - - 16000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -