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IDT6116LA35TPGI

IDT6116LA35TPGI

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 电子元器件分类
IDT6116LA35TPGI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IDT6116LA35TPGI引脚图与封装图
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在线购买IDT6116LA35TPGI
型号 制造商 描述 购买
IDT6116LA35TPGI Integrated Device Technology 艾迪悌 IC SRAM 16Kbit 35NS 24DIP 搜索库存
替代型号IDT6116LA35TPGI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IDT6116LA35TPGI

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装: DIP

当前型号

IC SRAM 16Kbit 35NS 24DIP

当前型号

型号: IDT6116LA35TP

品牌: 艾迪悌

封装: DIP

完全替代

CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K 2K x 8 BIT

IDT6116LA35TPGI和IDT6116LA35TP的区别

型号: IDT6116LA35TPG

品牌: 艾迪悌

封装: DIP

完全替代

IC SRAM 16Kbit 35NS 24DIP

IDT6116LA35TPGI和IDT6116LA35TPG的区别

型号: IDT6116SA35TPGI

品牌: 艾迪悌

封装: DIP

完全替代

IC SRAM 16Kbit 35NS 24DIP

IDT6116LA35TPGI和IDT6116SA35TPGI的区别