STL23NM60ND、STL42N65M5、STL21N65M5对比区别

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型号 STL23NM60ND STL42N65M5 STL21N65M5

描述 STMICROELECTRONICS  STL23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 650V 34A 4Pin Power Flat T/RN沟道650 V， 0.175 Ω ， 17的PowerFLAT ？ （ 8×8 ） HV超低栅极电荷的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 5

封装 PowerFlat-4 PowerFLAT-8x8-HV-5 PowerFLAT-8x8-HV-5

通道数 1 1 -

针脚数 5 - -

漏源极电阻 0.15 Ω 79 mΩ -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 150 W 208 W 125 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 600 V - 650 V

上升时间 45 ns - 10 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 4650pF @100V(Vds) 1950pF @100V(Vds)

下降时间 40 ns - 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta), 150W (Tc) 3W (Ta), 208W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc)

漏源击穿电压 - 650 V -

连续漏极电流(Ids) - - 17A

额定功率(Max) - - 3 W

封装 PowerFlat-4 PowerFLAT-8x8-HV-5 PowerFLAT-8x8-HV-5

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -