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STL21N65M5

STL21N65M5

数据手册.pdf

N沟道650 V， 0.175 Ω ， 17的PowerFLAT ？ （ 8×8 ） HV超低栅极电荷的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? 8x8 HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET

N-Channel 650V 17A Tc 3W Ta, 125W Tc Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV


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MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV


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MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88


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STL21N65M5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1950pF @100VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 PowerFLAT-8x8-HV-5

外形尺寸

封装 PowerFLAT-8x8-HV-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STL21N65M5引脚图与封装图
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在线购买STL21N65M5
型号 制造商 描述 购买
STL21N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道650 V， 0.175 Ω ， 17的PowerFLAT ？ （ 8×8 ） HV超低栅极电荷的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? 8x8 HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET 搜索库存
替代型号STL21N65M5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STL21N65M5

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： PowerFlat-8 N-CH 650V 17A

当前型号

N沟道650 V， 0.175 Ω ， 17的PowerFLAT ？ （ 8×8 ） HV超低栅极电荷的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? 8x8 HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET

当前型号

型号： STL42N65M5

品牌： 意法半导体

封装： PowerFlat-8

类似代替

Trans MOSFET N-CH 650V 34A 4Pin Power Flat T/R

STL21N65M5和STL42N65M5的区别

型号： STL23NM60ND

品牌： 意法半导体

封装： PowerFLAT N-Channel

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STL21N65M5和STL23NM60ND的区别