IPP65R095C7XKSA1、IPP65R099C6XKSA1对比区别

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型号 IPP65R095C7XKSA1 IPP65R099C6XKSA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 650 V, 0.089 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 128 W 278 W

通道数 1 -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.084 Ω 0.089 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 128 W 278 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 24A 38A

上升时间 12 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 2140pF @400V(Vds) 2780pF @100V(Vds)

下降时间 7 ns 6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 128W (Tc) 278W (Tc)

长度 10 mm -

宽度 4.4 mm -

高度 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free