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MMBZ5251B-V-GS08、MMBZ5251BLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ5251B-V-GS08 MMBZ5251BLT1G

描述 VISHAY  MMBZ5251B-V-GS08  齐纳二极管, 22V, 225mW, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBZ5251BLT1G  齐纳二极管

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 3

耗散功率 225 mW 225 mW

稳压值 22 V 22 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - 22.0 V

容差 - ±5 %

额定功率 - 225 mW

击穿电压 - 23.1 V

正向电压 - 900mV @10mA

测试电流 - 5.6 mA

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 225 mW

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 SOT-23 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1.01 mm

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Plastic

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99