IRF840ASPBF、STB11NK50ZT4、IXTA8N50P对比区别

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型号 IRF840ASPBF STB11NK50ZT4 IXTA8N50P

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 VIXTA8N50P 管装

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 10.0 A 8.00 A

耗散功率 3.1 W 125 W 150 W

栅电荷 - - 20.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 4.50 A 8.00 A

上升时间 - 18 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 1018pF @25V(Vds) 1390pF @25V(Vds) 1050 pF

下降时间 - 15 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3100 mW 125W (Tc) 150W (Tc)

额定功率 125 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.85 Ω 0.48 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 4 V 3.75 V -

额定功率(Max) 3.1 W 125 W -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 2000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -