SI7414DN-T1-E3、SI7414DN-T1-GE3对比区别

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型号 SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-GE3

描述 VISHAY  SI7414DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  SI7414DN-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 1212 1212

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.021 Ω 0.021 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.5 W 1.5 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.60 A 8.70 A

上升时间 12 ns 12 ns

下降时间 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW

长度 3.15 mm -

高度 1.04 mm 1.04 mm

封装 1212 1212

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 -