针脚数 8
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.60 A
上升时间 12 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1212
长度 3.15 mm
高度 1.04 mm
封装 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7414DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7414DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7414DN-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 60V 5.6A 36mohms | 当前型号 | VISHAY SI7414DN-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.6 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： SI7414DN-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 60V 8.7A | 类似代替 | VISHAY SI7414DN-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212 | SI7414DN-T1-E3和SI7414DN-T1-GE3的区别 |
