BD137、BD137G对比区别

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型号 BD137 BD137G

描述 功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICONON SEMICONDUCTOR  BD137G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 40 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 50 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V

额定电流 1.50 A 6.00 A

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 - 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1.25 W

最大电流放大倍数(hFE) 250 -

长度 - 7.74 mm

宽度 - 2.66 mm

高度 - 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Box Bulk

最小包装 500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99