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TLV4111CD、TLV4111CDR、TLV4111IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV4111CD TLV4111CDR TLV4111IDR

描述 系列高输出驱动运算放大器,带有关断 FAMILY OF HIGH OUTPUT DRIVE OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWNOP Amp Single GP R-R O/P 6V 8Pin SOIC T/R系列高输出驱动运算放大器,带有关断 FAMILY OF HIGH OUTPUT DRIVE OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 320mA @5V - 320mA @5V

供电电流 700 µA - 700 µA

电路数 1 - 1

通道数 1 - 1

耗散功率 710 mW - 710 mW

共模抑制比 68 dB - 68dB ~ 68dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K - 3.00 µV/K

带宽 2.70 MHz - 2.70 MHz

转换速率 1.57 V/μs - 1.57 V/μs

增益频宽积 2.7 MHz - 2.7 MHz

过温保护 No - No

输入补偿电压 175 µV - 175 µV

输入偏置电流 0.3 pA - 0.3 pA

工作温度(Max) 70 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 40 ℃

增益带宽 2.7 MHz - 2.7 MHz

耗散功率(Max) 710 mW - 710 mW

共模抑制比(Min) 65dB ~ 70dB - 68 dB

电源电压 2.5V ~ 6V - -

电源电压(Max) 6 V - 6 V

电源电压(Min) 2.5 V - 2.5 V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free