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MMBZ5261B-V-GS08、MMBZ5261C-E3-08、MMBZ5261ELT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ5261B-V-GS08 MMBZ5261C-E3-08 MMBZ5261ELT1G

描述 VISHAY  MMBZ5261B-V-GS08  齐纳二极管, 47V, 225mW, SOT-23Zener Diode, 47V V(Z), 2%, 0.225W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3225mW,MMBZ52 和 SZMMBZ52 系列,On Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Intertechnology ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 - SOT-23-3

针脚数 3 - -

耗散功率 225 mW - 300 mW

测试电流 2.7 mA - 2.7 mA

稳压值 47 V - 47 V

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 900mV @10mA

额定功率(Max) - - 225 mW

耗散功率(Max) - - 225 mW

长度 3.1 mm - 3.04 mm

宽度 1.43 mm - 1.4 mm

高度 1.05 mm - 1.01 mm

封装 SOT-23 - SOT-23-3

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99