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UMT1、UMT1N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UMT1 UMT1N

描述 Small Signal Bipolar TransistorUMT1N PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT363 标记T1 用于开关/数字电路

数据手册 --

制造商 Secos ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SOT-363

极性 - PNP+PNP

击穿电压(集电极-发射极) - -50V

集电极最大允许电流 - -0.15A

最小电流放大倍数(hFE) - 120

封装 - SOT-363

产品生命周期 Unknown Active

最小包装 - 3000

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

香港进出口证 - NLR