UMT1N
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
UMT1N中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP+PNP
击穿电压集电极-发射极 -50V
集电极最大允许电流 -0.15A
最小电流放大倍数hFE 120
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Active
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
UMT1N引脚图与封装图
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在线购买UMT1N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UMT1N | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMT1N PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT363 标记T1 用于开关/数字电路 | 搜索库存 |
替代型号UMT1N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMT1N 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： | 当前型号 | UMT1N PNP+PNP复合三极管 -60V -0.15A HEF=120~560 SOT363 标记T1 用于开关/数字电路 | 当前型号 |
| 型号： UMT1 品牌： Secos 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | UMT1N和UMT1的区别 |