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BC847AWT1G、BC847CW,115、SBC847AWT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847AWT1G BC847CW,115 SBC847AWT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847AWT1G  射频双极晶体管NXP  BC847CW,115  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 110 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V - -

额定电流 100 mA - -

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 mW 200 mW 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) 180 420 110

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.24 mm 1.35 mm -

高度 0.9 mm 1 mm -

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -