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TLC2262QD、TLC2262QDRG4、CA5260MZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2262QD TLC2262QDRG4 CA5260MZ

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERSCA5260,双 3MHz,BiMOS 微处理器运算放大器,带 MOSFET 输入/CMOS 输出,IntersilMOSFET 输入阶段提供高输入抗阻和低输入电流 非常适合单电源应用 共模输入电压范围包括负电源供电轨 ### 运算放大器,IntersilIntersil 运算放大器为行业内的高性能放大器 IC。

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA 2.2mA @15V

供电电流 425 µA 425 µA 9 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 -

耗散功率 0.725 W 725 mW -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 820 kHz 820 kHz 3 MHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 0.82 MHz 0.82 MHz 3 MHz

过温保护 No No -

输入补偿电压 300 µV 300 µV 6 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 5 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

增益带宽 0.82 MHz 730 kHz 3 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 50 dB

电源电压(DC) - - 16.0 V

共模抑制比 70 dB - 50 dB

电源电压 - - 4.5V ~ 16V

电源电压(Max) - - 16 V

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15