IRF640、IRF640,127、STP19NF20对比区别

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型号 IRF640 IRF640,127 STP19NF20

描述 18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETsTO-220AB N-CH 200V 16AN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 136W (Tc) 90 W

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 16A 7.50 A

上升时间 - 45 ns 22 ns

输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

下降时间 - 38 ns 11 ns

耗散功率(Max) - 136W (Tc) 90000 mW

漏源极电阻 - - 0.15 Ω

阈值电压 - - 3 V

正向电压(Max) - - 1.6 V

额定功率(Max) - - 90 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 - TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 9.15 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Rail Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99