极性 N-CH
耗散功率 136W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 1850pF @25VVds
下降时间 38 ns
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF640,127 | NXP 恩智浦 | TO-220AB N-CH 200V 16A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF640,127 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-220AB N-CH 200V 16A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 200V 16A | 当前型号 | |
型号: IRF640 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | 18A , 200V , 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | IRF640,127和IRF640的区别 | |
型号: IRF640PBF 品牌: Vishay Intertechnology 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 18A ID, 200V, 0.18Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | IRF640,127和IRF640PBF的区别 |