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IRF640,127

IRF640,127

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

TO-220AB N-CH 200V 16A

N-Channel 200V 16A Tc 136W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB


贸泽:
MOSFET RAIL PWR-MOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRF640,127中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 136W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

下降时间 38 ns

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF640,127引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF640,127 NXP 恩智浦 TO-220AB N-CH 200V 16A 搜索库存
替代型号IRF640,127
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF640,127

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-220AB N-CH 200V 16A

当前型号

TO-220AB N-CH 200V 16A

当前型号

型号: IRF640

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

18A , 200V , 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF640,127和IRF640的区别

型号: IRF640PBF

品牌: Vishay Intertechnology

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 18A ID, 200V, 0.18Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

IRF640,127和IRF640PBF的区别