SI7415DN-T1-E3、SI7415DN-T1-GE3对比区别

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型号 SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-GE3

描述 VISHAY  SI7415DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -60 V, 54 mohm, -10 V, -3 VVISHAY  SI7415DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5.7A, POWERPAK

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 8 8

封装 1212 PowerPAK-1212-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.054 Ω 0.054 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 1.5 W 1.5 W

上升时间 12 ns 12 ns

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW -

漏源极电压(Vds) - 60 V

连续漏极电流(Ids) - -5.70 A

长度 3.15 mm 3.3 mm

高度 1.07 mm 1.04 mm

封装 1212 PowerPAK-1212-8

宽度 - 3.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 -