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APT20N60SC3、APT20N60SC3G、FCB20N60对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20N60SC3 APT20N60SC3G FCB20N60

描述 D3PAK N-CH 600V 20.7AMOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAKFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 D3PAK TO-268-3 TO-263

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.15 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 - 208W (Tc) 208 W

阈值电压 - - 5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.7A 20.7 A 20.0 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 20.7 A -

输入电容 - 2.44 nF -

栅电荷 - 114 nC -

输入电容(Ciss) - 2440pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 208W (Tc) -

封装 D3PAK TO-268-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15