APT20N60SC3G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT20N60SC3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 20.7 A
耗散功率 208W Tc
输入电容 2.44 nF
栅电荷 114 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
输入电容Ciss 2440pF @25VVds
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT20N60SC3G引脚图与封装图
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在线购买APT20N60SC3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT20N60SC3G | Microsemi 美高森美 | MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK | 搜索库存 |
替代型号APT20N60SC3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT20N60SC3G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 600V 20.7A 2.44nF | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK | 当前型号 |
| 型号： FCB20N60FTM 品牌： 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-Channel 600V 20A 150mohms 3.08nF | 功能相似 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | APT20N60SC3G和FCB20N60FTM的区别 |
| 型号： FCB20N60TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-Channel 600V 20A 190mohms 3.08nF | 功能相似 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | APT20N60SC3G和FCB20N60TM的区别 |
| 型号： FCB20N60 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 600V 20A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V | APT20N60SC3G和FCB20N60的区别 |