锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC807-16LT1G、SBC807-16LT1G、BC807-16对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC807-16LT1G SBC807-16LT1G BC807-16

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC807-16LT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管DIODES INC.  BC807-16  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 310 mW, -500 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

频率 100 MHz 100 MHz -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 225 mW 0.3 W 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 225 mW 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 225 mW -

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 100 - 250

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 2.64 mm -

高度 0.94 mm 1.11 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -