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FQD3N40TF、IRFR310B、FQD3N40TM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD3N40TF IRFR310B FQD3N40TM

描述 N沟道 400V 2A400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN沟道 400V 2A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 1.7A 2.00 A

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 2.00 A - 2.00 A

漏源极电阻 - - 3.40 Ω

耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) - 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源击穿电压 - - 400 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) - 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) - 2.5W (Ta), 30W (Tc)

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape - Tape

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free