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TIP106G、TIP41CG、TIP106对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP106G TIP41CG TIP106

描述 ON SEMICONDUCTOR  TIP106G  达林顿双极晶体管NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V 100 V -

额定电流 -8.00 A 6.00 A -

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel NPN PNP

耗散功率 80 W 65 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 6A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 4V 15 @3A, 4V 1000 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 20 3 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW

频率 - 3 MHz -

增益频宽积 - 3 MHz -

热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -

最大电流放大倍数(hFE) - - 20000

长度 10.53 mm 10.28 mm 10.28 mm

宽度 4.83 mm 4.83 mm 4.82 mm

高度 15.75 mm 15.75 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99