MMUN2111LT1、MMUN2111LT3G、FJV4102RMTF对比区别
型号 MMUN2111LT1 MMUN2111LT3G FJV4102RMTF
描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 10千? Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=10KΩ,R2=10KΩ)•到FJV3102R补
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA
无卤素状态 - Halogen Free -
极性 P-Channel PNP PNP
耗散功率 400 mW 0.4 W 0.2 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 - 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 246 mW 246 mW 200 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
高度 - - 0.93 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99