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MCP622-E/SN、TSV852IDT、LMV342ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP622-E/SN TSV852IDT LMV342ID

描述 MICROCHIP  MCP622-E/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 20 MHz, 2个放大器, 10 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚TSV85x、TSV85xA、低功率、高精度、通用运算放大器TSV850、TSV851(单)、TSV852、TSV853(双)和 TSV854、TSV855(四路)运算放大器可提供低电压操作,带轨对轨输出摆幅。低功耗:最大 180 μA (5 V) 关闭模式:最大 50 nA,仅适合 TSV850(A)、TSV853(A)、TSV855(A) 低偏置电压:最大 0.8 mV (25°C) 扩展温度范围:-40°C 至 125°C 电源操作范围 2.3 V 至 5.5 V 益带宽产品:1.3 MHz 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronics轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 130 mA 70 mA -

供电电流 2.5 mA 130 µA 107 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 84 dB 75 dB 56 dB

带宽 20 MHz 1.3 MHz 1.00 MHz

转换速率 10.0 V/μs 700 mV/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 20 MHz 1.3 MHz 1 MHz

输入补偿电压 200 µV 4 mV 250 µV

输入偏置电流 5 pA 27 nA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 20 MHz 1.3 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 72 dB 56 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

输入补偿漂移 2.00 µV/K - 1.90 µV/K

电源电压(DC) 2.50V (min) - -

工作电压 2.5V ~ 5.5V - -

针脚数 8 - -

静态电流 3.6 mA - -

电源电压(Max) 5.5V ~ 6V - -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.25 mm 1.25 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -