BC307B、BC307BRL1G对比区别
型号 BC307B BC307BRL1G
描述 放大器晶体管 Amplifier Transistors放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3
频率 - 280 MHz
额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA
极性 - PNP
耗散功率 350 mW 350 mW
增益频宽积 280 MHz 280 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
额定功率(Max) 350 mW 350 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 350 mW
长度 5.2 mm 5.2 mm
宽度 4.19 mm 4.19 mm
高度 5.33 mm 5.33 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99
HTS代码 8541210075 -