PHB18NQ10T/T3、PHB18NQ10T,118、934055699118对比区别

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型号 PHB18NQ10T/T3 PHB18NQ10T,118 934055699118

描述 MOSFET TRENCH-100MOSFET N-CH 100V 18A SOT-404Power Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT-404 TO-263-3 -

耗散功率 - 79 W -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

上升时间 - 36 ns -

输入电容(Ciss) - 633pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 79 W -

下降时间 - 12 ns -

耗散功率(Max) - 79W (Tc) -

封装 SOT-404 TO-263-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -