PHB18NQ10T,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHB18NQ10T,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 79 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 633pF @25VVds
额定功率Max 79 W
下降时间 12 ns
耗散功率Max 79W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHB18NQ10T,118引脚图与封装图
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在线购买PHB18NQ10T,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHB18NQ10T,118 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 100V 18A SOT-404 | 搜索库存 |
替代型号PHB18NQ10T,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHB18NQ10T,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 18A SOT-404 | 当前型号 |
| 型号： PHB18NQ10T/T3 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | MOSFET TRENCH-100 | PHB18NQ10T,118和PHB18NQ10T/T3的区别 |