PSMN012-80PS、STB60NF06LT4、RFD16N06LESM9A对比区别

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型号 PSMN012-80PS STB60NF06LT4 RFD16N06LESM9A

描述 N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsSTMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD16N06LESM9A, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-252-3

额定功率 148 W - -

漏源极电阻 0.009 Ω 0.016 Ω 47 mΩ

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 148 W 110 W 90 W

阈值电压 3 V 1 V 3 V

漏源极电压(Vds) 80 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 74A 60.0 A -

输入电容(Ciss) 2782pF @12V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 148 W 110 W 90 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 148 W 110W (Tc) 90 W

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 60.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

上升时间 - 220 ns 60 ns

下降时间 - 30 ns 35 ns

长度 10.3 mm 10.4 mm 6.73 mm

宽度 4.7 mm 9.35 mm 6.22 mm

高度 16 mm 4.6 mm 2.39 mm

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -