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PSMN012-80PS

PSMN012-80PS

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PSMN012-80PS中文资料参数规格
技术参数

额定功率 148 W

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 148 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 74A

输入电容Ciss 2782pF @12VVds

额定功率Max 148 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 148 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

PSMN012-80PS引脚图与封装图
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在线购买PSMN012-80PS
型号 制造商 描述 购买
PSMN012-80PS NXP 恩智浦 N 通道 MOSFET,10A 至 99A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号PSMN012-80PS
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PSMN012-80PS

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-220-3 N-Channel 80V 74A

当前型号

N 通道 MOSFET,10A 至 99A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: STB60NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V

PSMN012-80PS和STB60NF06LT4的区别

型号: IRFZ44ZSPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 51A

功能相似

INFINEON  IRFZ44ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 V

PSMN012-80PS和IRFZ44ZSPBF的区别

型号: IRF1010NSTRLPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 85A

功能相似

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

PSMN012-80PS和IRF1010NSTRLPBF的区别