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C2012NP01H562J060AA、CL21C562JBC1PNC、C2012C0G1H562J060AA对比区别

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型号 C2012NP01H562J060AA CL21C562JBC1PNC C2012C0G1H562J060AA

描述 0805 5.6nF ±5% 50V NPOCap Ceramic 0.0056uF 50V C0G 5% SMD 0805 125℃ Paper T/RTDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 (NiSn) 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。

数据手册 ---

制造商 TDK (东电化) Samsung (三星) TDK (东电化)

分类 陶瓷电容陶瓷电容陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装(公制) 2012 - 2012

封装 0805 0805 0805

引脚数 2 - -

额定电压(DC) 50 V - 50.0 V

电容 0.0056 µF 0.0056 µF 0.0056 µF

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

工作温度(Max) 150 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

额定电压 50 V 50 V 50 V

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 0.6 mm - 0.6 mm

封装(公制) 2012 - 2012

封装 0805 0805 0805

厚度 - - 600 µm

材质 NP0/-55℃~+125℃ - C0G/-55℃~+125℃

介质材料 - - Ceramic Multilayer

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

温度系数 - - ±30 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 4000 - 4000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free