BTS118DATMA1、VND1NV04TR-E、VND5N0713TR对比区别

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型号 BTS118DATMA1 VND1NV04TR-E VND5N0713TR

描述 INFINEON  BTS118DATMA1  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsOMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 负载控制器FET驱动器开关电源

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 35 W -

输出接口数 1 1 1

输出电流 2.4 A 1.7 A -

供电电流 - 0.1 mA -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.2 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 21 W 35 W 60 W

阈值电压 - 2.5 V 800 mV

漏源极电压(Vds) - 55 V 70 V

漏源击穿电压 - 40.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) - 500 mA 5.00 A

上升时间 - 500 ns -

输出电流(Max) 2.4 A 1.7 A 3.5 A

输出电流(Min) - 1.7 A -

输入数 - 1 -

下降时间 - 600 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 35000 mW -

额定电压(DC) - - 70.0 V

额定电流 - - 5.00 A

输入电压(DC) 10.0 V - -

针脚数 3 - -

输入电压 10 V - -

长度 6.5 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.3 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99