IRF7807ZTR、IRF7807ZTRPBF对比区别

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型号 IRF7807ZTR IRF7807ZTRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 11AIRF7807ZTRPBF 编带

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2.5 W

通道数 - 1

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 18.2 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

阈值电压 - 1.8 V

输入电容 - 770 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11A

上升时间 6.2 ns 6.2 ns

输入电容(Ciss) 770pF @15V(Vds) 770pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 3.1 ns 3.1 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 11.0 A -

产品系列 IRF7807Z -

长度 - 5 mm

宽度 - 3.9 mm

高度 - 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free