IRF7807ZTR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7807ZTR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
产品系列 IRF7807Z
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 6.2 ns
输入电容Ciss 770pF @15VVds
下降时间 3.1 ns
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7807ZTR引脚图与封装图
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在线购买IRF7807ZTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7807ZTR | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 11A | 搜索库存 |
替代型号IRF7807ZTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7807ZTR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-Channel 30V 11A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 11A | 当前型号 |
| 型号： IRF7807ZTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 11A | 类似代替 | IRF7807ZTRPBF 编带 | IRF7807ZTR和IRF7807ZTRPBF的区别 |