锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FZT849、MMJT9410G、ZTX849对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT849 MMJT9410G ZTX849

描述 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE双极功率晶体管NPN硅 Bipolar Power Transistors NPN SiliconDIODES INC.  ZTX849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 SOT-223 SOT-223 E-Line-3

引脚数 4 - 3

极性 - NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V 30 V

集电极最大允许电流 - 3A 5A

针脚数 4 - -

耗散功率 3 W - 1.2 W

最小电流放大倍数(hFE) 100 - 100 @1A, 1V

直流电流增益(hFE) 200 - 200

工作温度(Max) 150 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 5.00 A

额定功率(Max) - - 1.2 W

耗散功率(Max) - - 1200 mW

封装 SOT-223 SOT-223 E-Line-3

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 200℃

材质 - - Silicon