FZT849、MMJT9410G、ZTX849对比区别
描述 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE双极功率晶体管NPN硅 Bipolar Power Transistors NPN SiliconDIODES INC. ZTX849 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 SOT-223 SOT-223 E-Line-3
引脚数 4 - 3
极性 - NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V 30 V
集电极最大允许电流 - 3A 5A
针脚数 4 - -
耗散功率 3 W - 1.2 W
最小电流放大倍数(hFE) 100 - 100 @1A, 1V
直流电流增益(hFE) 200 - 200
工作温度(Max) 150 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 5.00 A
额定功率(Max) - - 1.2 W
耗散功率(Max) - - 1200 mW
封装 SOT-223 SOT-223 E-Line-3
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
军工级 Yes - -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 200℃
材质 - - Silicon