TLC27M2BIDG4、TLC27M2BIDR、TS27M2BIDT对比区别

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型号 TLC27M2BIDG4 TLC27M2BIDR TS27M2BIDT

描述 ?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTS27L2，TS27L4，TS27M2，微型电源，高电压 CMOS 运算放大器TS27L2、TS27M2（双路）和 TS27L4（四路）CMOS 运算放大器提供极佳的速率消耗比率。低功耗：10 μA/amp（TS27L2，TS27L4），150 μA/amp (TS27M2) 极佳的电容性负载相位裕度 输出电压可摆幅至接地 电源电压：3 V 至 16 V ### 运算放大器，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

输出电流 ≤30 mA - 45mA @10V

供电电流 285 µA 285 µA 150 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

转换速率 460 mV/μs 460 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 0.525 MHz 0.525 MHz 1 MHz

输入补偿电压 224 µV 224 µV 250 μV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.000001μA @10V

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) - 16 V 16V ~ 17V

电源电压(Min) - 4 V 3 V

耗散功率 0.725 W 0.725 W -

输入补偿漂移 1.70 µV/K 1.70 µV/K -

带宽 525 kHz 525 kHz -

增益带宽 0.525 MHz 0.525 MHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

电源电压 - 3V ~ 16V -

长度 - - 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99