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IRFL024ZTRPBF、STN3NF06L、STN3NF06对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL024ZTRPBF STN3NF06L STN3NF06

描述 IRFL024ZTRPBF 编带STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 VSTMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8 W 3.3 W 3.3 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 5.10 A 4.00 A 4.00 A

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds) 315pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 3.3 W 3.3 W

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 4.00 A 4.00 A

额定功率 - 3.3 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 4

漏源极电阻 - 0.07 Ω 0.07 Ω

阈值电压 - 2.8 V 3 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V ±20.0 V

上升时间 - 25 ns 18 ns

下降时间 - 10 ns 6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.3W (Tc) 3.3W (Tc)

输入电容 - - 315 pF

栅电荷 - - 10.0 nC

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.8 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)