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STN3NF06

STN3NF06

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STMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V

The is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

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Exceptional dV/dt capability
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100% Avalanche tested
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Avalanche rugged technology
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-55 to 150°C Operating junction temperature
STN3NF06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.00 A

针脚数 4

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.3 W

阈值电压 3 V

输入电容 315 pF

栅电荷 10.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 315pF @25VVds

额定功率Max 3.3 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STN3NF06引脚图与封装图
STN3NF06引脚图

STN3NF06引脚图

STN3NF06封装图

STN3NF06封装图

STN3NF06封装焊盘图

STN3NF06封装焊盘图

在线购买STN3NF06
型号 制造商 描述 购买
STN3NF06 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V 搜索库存
替代型号STN3NF06
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STN3NF06

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOT-223 N-Channel 60V 4A 70mΩ 315pF

当前型号

STMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V

当前型号

型号： STN3NF06L

品牌： 意法半导体

封装： SOT-223 N-Channel 60V 4A 100mΩ

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