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BZX384-C12、MM3Z12VT1G、BZM55C12-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX384-C12 MM3Z12VT1G BZM55C12-TR

描述 NXP  BZX384-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MM3Z12VT1G  单管二极管 齐纳, 通用, 12 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °CVISHAY  BZM55C12-TR  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 500 mW, MicroMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-323 SOD-323 SMD-2

额定电压(DC) - 12.0 V -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 200 mW 0.5 W

击穿电压 - 12.7 V 12.7 V

针脚数 2 2 2

正向电压 - 900mV @10mA 1.5V @200mA

耗散功率 300 mW 200 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

正向电流 - 10 mA -

稳压值 12 V 12 V 12 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 300 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW 500 mW

长度 - 1.7 mm 2 mm

宽度 - 1.25 mm 1.2 mm

高度 - 0.9 mm 1.2 mm

封装 SOD-323 SOD-323 SMD-2

材质 - Plastic -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

温度系数 - 8 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99