FQB4N25TM、FQB6N25TM、IRFW614A对比区别

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型号 FQB4N25TM FQB6N25TM IRFW614A

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 3.6A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 250V 5.5APower Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

额定电压(DC) 250 V 250 V -

额定电流 3.60 A 5.50 A -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V -

连续漏极电流(Ids) 3.60 A 5.50 A -

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) -

漏源极电阻 - 1.00 Ω -

漏源击穿电压 - 250 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) - 3.13 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -