FQB6N25TM

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道 250V 5.5A

N-Channel 250 V 5.5A Tc 3.13W Ta, 63W Tc Surface Mount D²PAK TO-263

立创商城:
N沟道 250V 5.5A

得捷:
MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 5.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK

FQB6N25TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 5.50 A

漏源极电阻 1.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13W Ta, 63W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

输入电容Ciss 300pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

耗散功率Max 3.13W Ta, 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB6N25TM引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FQB6N25TM

型号	制造商	描述	购买
FQB6N25TM	Fairchild 飞兆/仙童	N沟道 250V 5.5A	搜索库存

替代型号FQB6N25TM

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： FQB6N25TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童封装： TO-263 N-Channel 250V 5.5A 1ohms	当前型号	N沟道 250V 5.5A	当前型号
型号： FQB4N25TM 品牌：飞兆/仙童封装： TO-263 N-CH 250V 3.6A	类似代替	Trans MOSFET N-CH 250V 3.6A 3Pin2+Tab D2PAK T/R	FQB6N25TM和FQB4N25TM的区别
型号： IRF624S 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK N-Channel 250V 4.4A	功能相似	MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK	FQB6N25TM和IRF624S的区别
型号： FQB4N25 品牌：飞兆/仙童封装：	功能相似	250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET	FQB6N25TM和FQB4N25的区别