FQU4N50TU、FQU4N50TU_WS对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQU4N50TU FQU4N50TU_WS

描述 N沟道 500V 2.6ATrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3

通道数 - 1

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 2.6A

上升时间 - 45 ns

输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)

下降时间 - 30 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)

额定电压(DC) 500 V -

额定电流 2.60 A -

漏源极电阻 2.70 Ω -

漏源击穿电压 500 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

额定功率(Max) 2.5 W -

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -