FQU4N50TU_WS
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU4N50TU_WS中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 2.6A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 460pF @25VVds
下降时间 30 ns
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQU4N50TU_WS引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQU4N50TU_WS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQU4N50TU_WS | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 搜索库存 |
替代型号FQU4N50TU_WS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU4N50TU_WS 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： IPAK-3 N-CH 500V 2.6A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3Pin3+Tab IPAK Rail | 当前型号 |
| 型号： FQU4N50TU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-251 N-Channel 500V 2.6A 2.7ohms | 类似代替 | N沟道 500V 2.6A | FQU4N50TU_WS和FQU4N50TU的区别 |