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THS4022ID、THS4022IDRG4、THS4022IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4022ID THS4022IDRG4 THS4022IDR

描述 350 - MHz的低噪声高速放大器 350-MHz LOW-NOISE HIGH-SPEED AMPLIFIERSIC OPAMP VFB 350MHz 8SOICIC OPAMP VFB 350MHz 8SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - -

供电电流 7.8 mA 7.8 mA 7.8 mA

电路数 2 2 2

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 3 µA 3 µA 3 µA

3dB带宽 350 MHz 350 MHz 350 MHz

电源电压(DC) 32.0 V - -

通道数 2 - -

耗散功率 0.74 W - -

共模抑制比 74 dB - -

输入补偿漂移 15.0 µV/K - -

带宽 350 MHz - -

转换速率 470 V/μs - -

增益频宽积 3.50 GHz - -

可用通道 S, D - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 740 mW - -

共模抑制比(Min) 74 dB - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -