TIP106、TIP106G对比区别

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型号 TIP106 TIP106G

描述 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt ResistorsON SEMICONDUCTOR  TIP106G  达林顿双极晶体管

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A

针脚数 - 3

极性 - PNP, P-Channel

耗散功率 - 80 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 4V 1000 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 20

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

长度 - 10.53 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 9.4 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99