BZV55-B18、BZV55-B18T/R、BZV55-B18,115对比区别

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型号 BZV55-B18 BZV55-B18T/R BZV55-B18,115

描述 500mW，BZV55 系列，NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，NXP SemiconductorsDIODE 18 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator DiodeNXP  BZV55-B18,115  单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 2 - 2

封装 SOD-80 - SOD-80

容差 - - ±2 %

针脚数 - - 2

正向电压 - - 900mV @10mA

极性 - - NPN

耗散功率 - - 500 mW

测试电流 - - 5 mA

稳压值 18 V - 18 V

正向电压(Max) - - 900mV @10mA

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

封装 SOD-80 - SOD-80

高度 3.7 mm - -

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃

温度系数 14.4 mV/℃ - 14.4 mV/K

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17