BZV55-B18
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BZV55-B18中文资料参数规格
技术参数
稳压值 18 V
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-80
外形尺寸
高度 3.7 mm
封装 SOD-80
物理参数
温度系数 14.4 mV/℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BZV55-B18引脚图与封装图
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在线购买BZV55-B18
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55-B18 | NXP 恩智浦 | 500mW，BZV55 系列，NXP Semiconductors NXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号BZV55-B18
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55-B18 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOD80/LL34 | 当前型号 | 500mW，BZV55 系列，NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： BZV55-B18,115 品牌： 恩智浦 封装： SOD-80C | 完全替代 | NXP BZV55-B18,115 单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C | BZV55-B18和BZV55-B18,115的区别 |
| 型号： BZV55-B18T/R 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | DIODE 18 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode | BZV55-B18和BZV55-B18T/R的区别 |