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IRFR9120NPBF、IRFR9120TRPBF、IRFR9110PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR9120NPBF IRFR9120TRPBF IRFR9110PBF

描述 INFINEON  IRFR9120NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -100 V, 480 mohm, -10 V, -4 VVISHAY  IRFR9120TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.6 A, -100 V, 0.6 ohm, -10 V, -4 VVISHAY  IRFR9110PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.48 Ω 0.6 Ω 1.2 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 40 W 42 W 25 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 6.6A -5.60 A -3.10 A

上升时间 47 ns 29 ns 27 ns

下降时间 31 ns 25 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 42 W 2.5 W

额定电压(DC) - - -100 V

额定电流 - - -3.10 A

漏源击穿电压 - - -100 V

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) - 200pF @25V(Vds)

额定功率 39 W - -

通道数 1 - -

阈值电压 4 V - -

额定功率(Max) 40 W - -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.38 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

包装方式 Tube - Tube

产品生命周期 Not For New Designs - -

ECCN代码 EAR99 - -