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IRFR9110PBF

IRFR9110PBF

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VISHAY  IRFR9110PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

The is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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Surface-mount
IRFR9110PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -3.10 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 -100 V

连续漏极电流Ids -3.10 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 200pF @25VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFR9110PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFR9110PBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRFR9110PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V 搜索库存
替代型号IRFR9110PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRFR9110PBF

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-252 P-Channel -100V -3.1A

当前型号

VISHAY  IRFR9110PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.1 A, -100 V, 1.2 ohm, -10 V, -4 V

当前型号

型号： IRFR9110TRPBF

品牌： 威世

封装： DPAK P-Channel -100V -3.1A

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IRFR9110PBF和IRFR9110TRPBF的区别

型号： IRFR9120NPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL P-Channel 100V 6.6A

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